SK하이닉스, 5세대 HBM 세계 첫 양산…엔비디아에 공급 > 자유게시판

SK하이닉스가 메모리반도체 업계에서 가장 먼저 고대역폭메모리(HBM) 5세대인 HBM3E D램을 인공지능(AI) 반도체 ‘큰손’ 엔비디아에 납품한다. 차세대 HBM 주도권을 둘러싼 양산 경쟁이 본격화하는 모양새다.
SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 인스타 좋아요 구매 세계 최초로 양산해 이달 말부터 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만이다. SK하이닉스 제품은 엔비디아의 차세대 그래픽처리장치(GPU)에 탑재될 것으로 보인다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품이다. 방대한 데이터를 신속하고 끊임없이 처리해야 하는 생성형 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 꼭 필요하다. 5세대 HBM인 HBM3E는 현재 양산되는 D램 중 가장 성능이 우수하다.
앞서 미국 마이크론이 지난달 26일(현지시간) 올해 2분기 출시 예정인 엔비디아의 H200 GPU에 탑재될 HBM3E(24GB 8단) 양산을 시작했다고 발표한 바 있다. 하지만 실제 HBM3E 납품을 위한 대량 생산은 SK하이닉스가 처음이다. HBM3 시장의 90% 이상을 점유한 SK하이닉스는 지난 1월 차세대인 HBM3E 8단 제품의 초기 양산을 시작하고 고객 인증 등을 준비해왔다.
SK하이닉스가 이번에 선보인 HBM3E는 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리한다. 이는 풀HD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 신제품에 ‘어드밴스드 MR-MUF 공정’을 적용해 열 방출 성능을 이전 세대보다 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보조제를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정을 말한다.
업체들은 개발·양산 시기, 적층 수준, 적용 기술 면에서 자사의 우수성을 강조하며 주도권을 다투고 있다. HBM 경쟁에서 SK하이닉스에 뒤졌다는 평가를 받는 삼성전자도 지난달 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 HBM3E 개발에 성공했다고 발표하며 한발 치고 나갔다. 올해 상반기 중 양산할 계획이다. SK하이닉스도 고객 일정에 맞춰 12단 HBM3E 제품화를 진행 중이다.
SK하이닉스와 삼성전자는 18일 미국에서 열린 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2024’에서 나란히 전시관을 마련하고 12단 HBM3E 인스타 좋아요 구매 실물을 공개했다.
한편 삼성전자는 19일 범용인공지능(AGI) 컴퓨팅랩을 만들어 인간지능에 가까운 AGI 전용 반도체 개발에 나선다는 소식을 알렸다.